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AlGaN和GaN HEMT在不同温度下的退化规律及退化机理详细说明

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.23 MB | 2020-06-20

JohnHe

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　　基于温度步进应力实验，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现： 在结温为 139 ～ 200 ℃ 时，AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源电流随退化时间逐渐减小; 而在结温为 200 ～ 352 ℃时，漏源电流随退化时间逐渐增大。分析表明： 结温低于200 ℃时，AlGaN 施主原子的离化导致肖特基势垒高度升高; 而在结温高于 200 ℃ 时，表面氧杂质的扩散导致肖特基势垒高度逐渐降低。通过计算肖特基势垒高度，进一步定量的验证势垒高度的变化。而势垒高度的变化又引起阈值电压的漂移，进而影响漏源电流的变化。因此漏源电流的退化主要是由于势垒高度的变化引起的。

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