现代宽禁带功率器件(SiC, GaN)上的开关晶体管速度越来越快,使得测量和表征成为相当大的挑战,在某些情况下几乎不可能实现。隔离探测技术的出现改变了这种局面,通过这一技术,设计人员终于能够放心地测量以前回避的半桥和门驱动器波形。通过详细了解相关挑战,并使用适当的探测技术,电源工程师可以更加迅速、高效地表征和优化其设计。半桥电路(图 1)广泛用于功率电子领域的多种应用,是现代设计中有效转换电能使用的基本电路。但是,只有在半桥、门驱动器和布线正确且优化设计时,这种电路的优势才能得到实现。在测量结果与预期结果不一致时,可能很难提取与被测器件有关的有意义的细节。更糟糕的是,基于探头位置和其他因素,波形可能会明显变化,最终会让设计人员得不偿失。
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