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当IGBT在高性能应用中高速接通和断开时，总会发生过压。例如，当关闭负载电流电路时，集电极 - 发射极电压突然上升，达到非常高的峰值。由开关引起的过电压会严重损坏甚至破坏开关晶体管。
常见的过电压保护方法是“有源钳位(active clamping)”。在这种情况下，雪崩二极管用作直接反馈。如果关断导致电感负载过压峰值，则由雪崩二极管传导至IGBT栅极，并且IGBT重新接通。
上图显示了基本原理：当电压上升时，二极管被阻断(A)。在耗尽区中，一个自由电子触发雪崩的瞬间，电压突然下降到低于30V的击穿电压电平，雪崩二极管立刻击穿(B)。在重新启动之前，有时只能保持雪崩电流在短时间内稳定，并且电压再次上升(C)。击穿延迟(D)即两次击穿事件之间的时间，是不能预测的。
建议将具有改善噪声性能的雪崩二极管用于有源钳位过压保护，因为它们能够：
˙ 在快速上升的反向电压下，更快击穿
˙ 在低电流(低于~1mA)时具有更稳定击穿电压，因此：
˙ 延长其它器件的寿命，例如 IGBT或Mosfet，结果：
˙ 为变频器或电机控制器等应用节省成本，因为组件较少需要更换。
雪崩二极管的噪声来自雪崩的不断接通和断开，即电压峰值的不断产生及其突然击穿(见图)。触发雪崩击穿有两个先决条件：
1. 存在足够的击穿电压以产生用于碰撞电离的临界电场强度。
2. 存在自由电子，因而形成漏电流。
例如，1.6pA = 1.6 x 10-12A漏电流等于通过阻挡层的电子流速为每秒107电子，这意味着在统计上每100ns只能触发一次雪崩。然而，由于不是每个电子都会触发雪崩，实际上触发时间会更长。因此，触发雪崩击穿的概率与泄漏电流成比例。换句话说：漏电流越大，触发雪崩击穿的概率越高或击穿延迟时间越短(图中：D)。
在两个冲击漏电流电子之间，二极管处的反向电压可以显著上升到高于击穿电压电平。只有当下一个冲击电子触发雪崩时，二极管的电压才会突然下降到击穿电压水平。
如果电压源提供足够的电流，例如 1mA，雪崩击穿可以通过连续的碰撞电离保持自身运行，从而产生稳定的雪崩电流。
但是，如果源电流太低，例如100μA，低于击穿电压电平的雪崩电压突然下降，使得二极管放电，将导致雪崩击穿立即再次停止。这时，需要一定的时间来使二极管和线电容充电，使低源电流达到所需的电压电平，然后下一个电子才能触发新的雪崩。这种雪崩的不断接通和断开导致雪崩二极管击穿的典型噪声。
二极管噪声性能的差异在图中也可见：图中显示了两个Z二极管(齐纳二极管)的击穿电压范围，在100μA的反向电流(IR)下测得的击穿电压为30V。其中一个二极管基于标准技术，使用极低的漏电流，另一个则采用“低噪声技术”。具有“低噪声技术”的齐纳二极管具有更稳健的电压特性，优于仅能在短时间内保持恒定雪崩电流的另一个二极管(C)。
威世提供采用“低噪声技术”的Z二极管，这些新一代产品包括SMF、BZD27、BZG 03、BZG04、 BZG05、PLZ 和 VTVS系列，由于适度增加漏电流(IR~10nA)而明显增加了触发雪崩击穿的可能性，从而降低了噪声，并为用户提供了在低电流(低于~1mA)时更稳定的击穿电压以及快速上升反向电压的更快击穿。
漏电流随温度增加而呈指数上升，即噪声随温度升高而降低；光还可以释放二极管耗尽区中的自由电子，从而降低噪声水平。这意味着：四周环境越暗越冷，噪音水平越高。
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