基于0.25μ Lm Gan HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的2~8GHz宽带功率放大器MMC(单片微波集成电路)。MMC所用 Gan HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电路的损耗。测试结果表明,在2~8GHz测试频带内,在脉冲偏压28V脉宽1ms,占空比30%)时,峰值输出功率大于30W,功率附加效率大于25%,小信号增益大于24dB,输入电压驻波比在28以下,在6GHz处的峰值输出功率达到50W,功率附加效率达到40%;在稳态偏压28V时,连续波饱和输出功率大于20W,功率附加效率大于20%尺寸为40mm×50mm。
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