《炬丰科技-半导体工艺》III-V的光子学特性

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：III-V的光子学特性

编号：JFKJ-21-215

作者：炬丰科技

摘要  

   III-V型半导体纳米线已显示出巨大的潜力光学、光电和电子器件的构建模块。电子和光子沿纳米线的特殊横向文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁约束轴。 此外，半导体纳米线具有亚波长结构表现出强烈的光学米氏共振，是理想的实现平台新型光学器件，如极端太阳能吸收器和宽带光捕获设备。

半导体纳米线形成与应用的历史回顾  

GaSb纳米线的制备与表征  

掺杂的GaSb ，B衬底上制备GaSb纳米柱 。 在蚀刻前，GaSb晶圆样品的尺寸约为0.6厘米× 0.6 cm用丙酮漂洗，异丙醇溶液漂洗5分钟后吹干。