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TP65H035BS 650V,35mΩ 氮化镓(GaN)场效应晶体管增强模式常关设备。TransphormGaN FET通过更低的栅极电荷提供更好的效率,更快的切换速度和更小的反向恢复充电,与传统充电相比具有显著优势硅(Si)器件。
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