基于瑞萨电子RZ/G2L的FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C开发板评测

嵌入式技术

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描述

5月18日,飞凌嵌入式发布了基于瑞萨电子RZ/G2L处理器开发的FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C开发板。RZ/G2L处理器有着丰富的外设接口,在具有较高的性能表现的同时还兼具低功耗的特点。由于这款处理器上市时间较短,还有很多的工程师朋友对它不够了解,存在很多疑问,为解答大家反馈较多的问题,今天小编专门针对FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C开发板进行了上手评测~
一、FET-G2LD-C核心板体验

先介绍下核心板的基础配置:

CPU:RZ/G2L

双核Arm® Cortex®-A55 @ 1.2GHz

单核Arm® Cortex®-M33 @ 200MHz

GPU:Arm® MaliTM-G31 @ 500MHz

内存:DDR4-1600(当前版本为2GB大小)

存储:eMMC(16GB)+QSPI Flash(16MB)

电源:集成式电源芯片

与底板连接方式:超薄连接器

FET-G2LD-C核心板基于瑞萨高性能、超高效处理器 RZ/G2L设计开发, 其采用多核异构,搭载Cortex-A55内核,运行频率高达1.2GHz;并集成Cortex-M33 MCU内核,主频达200MHz。 FET-G2LD-C核心板配备500MHz GPU Mali-G31及多种显示接口,功能接口资源丰富,支持多路UART、Ethernet、CAN-FD等, 适用于工业、医疗、电力、交通等多种行业和各类泛工业应用场景。

开发板开发板

FET-G2LD-C核心板正、反面实物图

开发板开发板

FET-G2LD-C核心板正、反面尺寸图

得益于集成式的电源方案,整个核心板尺寸可以控制得非常小,仅有60mm x 38mm。在板对板超薄连接器的加持下,核心板到底板最高的部分(电感)距底板表面仅有5.6mm。适用于对空间要求苛刻的应用场景。核心板采用沉金加树脂塞孔的工艺,大大提升了焊接的可靠性以及稳定性。并采用无铅工艺,符合环保要求。同时,对信号完整性以及电源完整性进行了严格把控,通过仿真,为系统稳定运行提供理论依据;核心板的4个角预留固定孔位,以应对高强度震动场景;此外还具有更为人性化的防呆设计。

二、RZ/G2L核心板稳定性测试

1. 电源稳定性测试:

为了测试电源的稳定性,飞凌将RZ/G2L核心板调到满载,通过示波器抓取各个测试点的波形:

开发板

核心板TP1波形

开发板

核心板TP2波形

开发板

核心板TP3波形

开发板

核心板TP4波形

开发板

核心板TP5波形

开发板

核心板TP6波形

开发板

核心板TP7波形

开发板

核心板TP9波形

开发板

核心板TP10波形

开发板

核心板TP11波形

三、内存压力测试:

FET-G2LD-C核心板内存压力测试的结果如下图所示。

开发板

内存压力测试的结果

可以看出在满载压力测试中FET-G2LD-C核心板表现优秀。

四、RZ/G2L 开发板初体验

飞凌嵌入式RZ / G2L 核心板配套开发板的底板布局紧凑,尺寸仅150mm x 130mm。但是接口非常丰富,有双千兆网口、双USB2.0、USB OTG、TF、双路CAN-FD、RS485、MIPI-CSI、MIPI-DSI、音频耳机输出、音频喇叭输出、音频MIC输入、ADC等接口,板载WIFI&BT模块,预留MIPI PCIe的4G模块插槽。

外围接口有相应的防护电路,各个接口排布靠近板边,方便用户自己制作外壳或放置到机箱使用。

开发板

底板尺寸图

1、开发板功耗测试

很多小伙伴对FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C开发板的功耗比较关心,因此小编针对RZ/G2L系列整套开发板和单独核心板分别进行了初步的功耗测试,测试结果如下图所示:

开发板

核心板在满载状态下,功耗仅为1.8w。得益于如此低的功耗,FET-G2LD-C核心板可以采用无风扇、无散热片的设计(注:核心板处于空气流动良好的环境中,如果是密闭的环境则需要具体情况具体评估)。

2、开发板启动测试

OK-G2LD-C开发板支持TF卡烧写,支持SCIF和Flash启动(暂不支持eMMC启动),底板拨码旁边的丝印就是不同状态时的拨码位置,可直接按照丝印进行拨码。如下图所示拨码开关为Flash启动:

开发板开发板

由于篇幅有限,本篇评测仅从大家提问较多的几个维度展开,后续小编将会为大家带来更多更详细的评测内容,大家敬请期待!

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