NP3417BEMR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP3417BEMR采用了先进的沟槽技术

提供优良的RDS(ON)，低栅极充电和操作

栅极电压低至1.8V。这个装置很合适

用于负载开关或PWM应用。

一般特征

VDS = -20v, id = -3a

RDS(上)(Typ) = 51.8Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 72.7Ω@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

ESD额定电压:2500V HBM

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOT-23-3L

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

热特性
 

审核编辑 黄昊宇