NP6P02DR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP6P02DR采用了先进的沟槽技术

提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和

工作电压低至1.8V。这

该器件适用于作为负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

VDS = -20v, id = -6a

RDS(上)(Typ) = 39 mΩ@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 58米Ω@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

DFN2 * 2-6L-B
 

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

热阻评级
 

注:

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

审核编辑 黄昊宇