NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)

电子说

1.3w人已加入

描述

1.概述

NP50P06D6采用先进的沟槽技术并设计为低门极提供优秀的RDS(ON)冲锋。它可以用于广泛的应用。

2.一般特征
 VDS=-60 V,ID=-50A
 RDS(ON)(典型值)=22 MΩ@VGS=-10V
 RDS(ON)(典型值)=27 MΩ@VGS=-4.5V
 超低RDS的高密度电池设计
 完全特征的雪崩电压和电流
 稳定性好,均匀性高,EAS高
 散热性好的优秀封装

3.应用程序

   负荷开关

4.包装
pdfn5*6-8L-A

5.示意图
 

MOS



审核编辑 黄昊宇

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分