NP3400AMR（30 v n沟道增强型MOSFET）

描述
 NP3400A使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费
 超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
 应用程序。

一般特征
  VDS =30V，ID=7A
 RDS(上)(Typ) = 23 mΩ@VGS = 2.5 v
 RDS(上)(Typ) = 17 mΩ@VGS = 4.5 v
  High 功率 和 电流 处理 能力
  Lead 免费 产品
  Surface 安装 包

应用程序
 PWM程序
 负荷开关

封装
  SOT-23-3L

原理图

标记和引脚分配
 

订购信息

审核编辑 黄昊宇