SIC MOS驱动电压15V和18V之辩

使用SIC MOS的开发人员是越来越多，但驱动电压到底选15V还是18V，每个人都有自己的理解，今晚听许老师讲SIC MOS驱动技术，有些感悟分享给大家。

我们先看一个SIC MOS的输出曲线，可以看到随着驱动电压的升高导通内阻在逐渐变小，驱动电压18V肯定比驱动电压15V的导通内阻小，导通损耗也会小，这是显而易见的。

这样看驱动电压18V比15V好，但是忽略了另一条重要曲线，那就是热阻曲线。

下图为SIC MOS的热阻曲线，每条曲线反应了不同占空比时的热阻情况，随着时间的加长，都将趋于稳定状态。左边的曲线反应的是瞬间加热时，热无法向外扩散时的情况，用动态热阻进行表示，动态热阻反映了最初短路时，发生在MOS的阻断区域，那里承受了几乎全部短路损耗。

下图为许老师课程上的计算过程，当驱动电压为14V时，抗短路时间能增加到10us，但同样会增加28%的热损耗，但当驱动电压变为15V时，抗短路时间减小到了3us，驱动电压变为18V时，抗短路时间减小到了1us，抗短路时间随着驱动电压的升高而急剧减小。

驱动电压选择15V还是18V，实际上是评估系统工作需求和短路时间之间的平衡，是损耗与抗短路能力之间的和谐。

有电感限流的拓扑可以选择18V驱动，无电感限流的建议选择15V驱动。当工作在结温175度时，不建议选择18V驱动。

审核编辑：汤梓红