三相逆变桥设计的关键点

三相逆变桥设计主要：栅极电阻、MOS管下拉电阻、MOS管、检流电阻、反电动势分压电阻以及滤波电容； 关键点是MOS管和检流电阻。

正点原子原理图：

（一）MOS管

在讲MOS管选择之前，先看一下导通电阻Rdson与额定电压、额定电流的相互制约关系：

额定电压越高，导通电阻Rdson就越大； 导通电阻越大，则功耗越高，则额定电流就做不高； 一般就是低压大电流或高压小电流；

1.1耐压

MOS管的电压击穿是瞬间的，因此耐压值不能太小，一般耐压按VBUS的2-3倍去选取MOS管；

1.2 电流

MOS管的电流损坏是热损坏，可以承受瞬间大电流，在满足散热条件下选择平均电流的1.5-2倍；若受空间限制，可按6倍额定电流来选取；

1.3 散热

散热的常见方法：覆铜开窗、增加铜厚如2oz、使用散热器等；

1.4 千克

根据栅极驱动器的驱动电流，以及PWM频率计算出最大的Qg（栅极驱动芯片DRV8353R（二）中有说明）

（二）检流电阻

检流电阻的封装不多，先确定封装，比如选择2512，那么电阻功率为1W（一般裕量为50%，则按0.5W来使用），如下是电阻封装与功率对应关系表：

然后根据设定电流值，选择阻值（栅极驱动芯片DRV8353R（二）中有说明）

或者根据电压幅值来计算电阻阻值，通常电压幅值在200-500mV比较好； 这个电压幅值具备一定的抗干扰能力，同时对差分放大的放大倍数没有太高的要求。

如果电阻封装功率不够，可通过多个电阻并联的方式，来提高电阻的散热能力。