功率MOSFET结构以及工作原理

　　mosfet结构和工作原理

　　MOSFET的原意是: MOS (Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)，FET (Field Effect Transistor场效应晶体管)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体 (S)的场效应晶体管。

　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型但通常主要指绝缘栅型中的MOS型 (Metal Oxide Semiconductor FET) ,简称功率MOSFET ( PowerMOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管 (Staticnduction Transistor--SIT) 。其特点是用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

　　MOS管结构原理图解

　　1、结构和符号（以N沟道增强型为例）

　　在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

其他MOS管符号：

2、工作原理（以N沟道增强型为例）

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　　（1）VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。

　　VGS=0，ID=0

　　VGS必须大于0，管子才能工作。

　　（2）VGS＞0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。

　　VGS＞0→g吸引电子→反型层→导电沟道

　　VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑

　　（3）VGS≥VT时而VDS较小时：

　　VDS↑→ID↑

VT：开启电压，在VDS作

　　用下开始导电时的VGS°

　　VT=VGS—VDS

　　（4）VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。

　　VDS↑→ID不变

　　mos管三个极分别是什么及判定方法

　　mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。