MSPM0L1306开发板教程- NVM(FLASH)

MSPMPL系列中的NVM（Non Volatile Memory）非易失性存储，也就是我们常说的FLASH。

在MSPM0L系列的 FLASH中，一个Sector为1KB，一个Bank可达256KB，而MSPM0L系列中，大部分型号也就只有一个Bank，所以在只有一个Bank的型号中，Bank操作会涉及到整个片内的FLASH，FLASH控制器数据操作是Word操作，也就是4个字节，当然也支持1字节和2字节的写入操作。

下面以64KB FLASH的芯片举例，FLASH的地址分布如下，NONMAIN就是BSL区域，FACTORY为出厂预存数据。

下面通过一个FLASH的写入的程序来看下FLASH写入流程：

FLASH擦写操作无需SYSCONFIG的配置，可以直接调用函数来完成，每次执行完成擦写操作的时候，FLASH的写保护寄存器都会置位，也就是自动保护起来，所以下一次操作之前都需要重新解锁。

执行完成后，在keil中debug查找写入地址0x00001000的数据，已经成功写入所有的数据。

配套例程为NVM，需要复制到SDK目录下运行。

审核编辑：刘清