DDR电路的叠层与阻抗设计

8层通孔板1.6mm厚度叠层与阻抗设计

在8层通孔板叠层设计中，顶层信号 L1 的参考平面为 L2，底层信号 L8 的参考平面为 L7。

建议层叠为TOP-Gnd-Signal-Power-Gnd-Signal-Gnd-Bottom，基铜厚度建议全部采用1oZ，厚度为1.6mm。

板厚推荐叠层如下图（上）所示（8层通孔1.6mm厚度推荐叠层），阻抗线宽线距如下图（下）所示（8层通孔1.6mm厚度各阻抗线宽线距）。

10层1阶HDI板1.6mm厚度叠层与阻抗设计

在10层1阶板叠层设计中，顶层信号L1的参考平面为L2，底层信号L10的参考平面为L9。

建议层叠为TOP-Signal/Gnd-Gnd/Power-Signal-Gnd/Power-Gnd/Power-Gnd/Power-Signal-Gnd-Bottom，其中L1，L2，L9，L10，建议采用1oZ，其它内层采用HoZ。

板厚推荐叠层如下图（上）所示（10层1阶HDI板叠层设计），阻抗线宽线距如下图（下）所示（10层1阶HDI板阻抗设计）。

10层2阶HDI板1.6mm厚度叠层与阻抗设计

在10层2阶板叠层设计中，顶层信号L1的参考平面为L2，底层信号L10的参考平面为L9。

建议层叠为TOP-Gnd-Signal-Gnd-Power-Signal/Pow -Gnd-Signal-Gnd-Bottom，其中L1，L2，L3，L8，L9，L10，建议采用1oZ，其它内层采用HoZ。

板厚推荐叠层如下图（上）所示（10层2阶HDI板叠层设计），阻抗线宽线距如下图（中、下）所示（10层2阶HDI板单端、差分阻抗设计图）。

DDR电路阻抗线与阻抗要求

所有通道数据DQ、DM单端信号阻抗40欧姆，如果叠层无法满足40欧目标阻抗，至少保证阻抗满足45ohm±10%，40欧目标阻抗信号余量会更大，45欧目标阻抗信号余量会更小，如下图是CH0与CH1通道数据DQ、DM阻抗线。

所有通道地址、控制单端信号阻抗40欧姆，如下图是CH0与CH1通道地址、控制阻抗线。

CKE单端信号阻抗50欧姆，如下图是CH0与CH1通道CKE阻抗线。

所有通道数据锁存信号DQS与时钟差分信号阻抗80欧姆，如果叠层无法满足80欧目标阻抗，至少保证阻抗满足90ohm±10%，如下图是CH0与CH1通道DQS与CLK差分阻抗线。

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