【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）

　　(1)SJ-MOS在N层具有柱状P层(P柱层)。P层和N层交替排列。(参见图3-9(b))

　　(2)通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。(关于电场强度，参见图3-9(a)/(b)。电场强度将表示耗尽层的状态。

　　(3)如果是D-MOS的情况，电场强度在P/N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。

　　(4)所以，SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计，以实现低导通电阻产品。

　　采用与DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以实现更低的导通电阻。

　　图3-9(a)D-MOS(π-MOS)的结构和电场

　　图3-9(b)SJ-MOS(DTMOS)的结构和电场

　　文章来源：东芝半导体

　　审核编辑：汤梓红