MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响,在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的,比如常见的管脚引线电感。本文在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT开关损耗测量结果的影响。
图1是典型的IGBT开关特性测试平台工作原理,其基本形式是用IGBT、二极管、电感、直流电源组成斩波器,模拟各种开关工作状态,用于测试,电路如图1(a)。
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