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MBE技术在InN材料中的应用及其晶体质量和光学特性的影响介绍

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:2.7 MB | 2017-10-10

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　　在si （ 111）衬底上分别预沉积0，0．1，o．5，1 nm厚度的In插入层后，采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的I nN材料，结合x射线衍射（XRD） 、扫描电子显微镜（SEM） 、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的I n插入层对外延I nN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明，在si 衬底上预沉积O．5 nm厚的I n插入层有利于改善外延I nN材料的形貌，提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明，0．5 nm厚I n插入层对应的I nN样品吸收边蓝移程度最小，光致发射谱半峰宽最窄，并且有最高的带边辐射复合发光效率。可见，引入适当厚度的I nN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性。

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