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如果从LED照明技术的发展来看，可以从三个方面来讲，一个是芯片层面，一个是封装层面，一个是应用层面。芯片层面主要关注LED的制成技术；封装层面主要是如何把LED芯片转换成可以用来照明的灯珠或是光源；LED应用层面技术发展相对复杂，主要包括电子控制技术的发展、新型材料的发展和使用，环境照明质量评价技术的发展和完善。
一直以追求高的发光效率为LED芯片技术发展的动力。倒装技术是目前获取高效大功率LED芯片的主要技术之一，衬底材料中蓝宝石和与之配套的垂直结构的激光衬底剥离技术（LLO）和新型键合技术仍将在较长时间内占统治地位。但在不久的将来，采用金属半导体结构，改善欧姆接触，提高晶体质量，改善电子迁移率和电注入效率，同时通过LED芯片外形表面粗化和光子晶体，高反射率镜面，透明电极改善提取光效率，那时白光LED的总效率可达到52%。随着LED光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片数越来越多，从而降低单颗芯片的成本，另一方面单芯片功率越做越大，如现在是3W，将来会往5W、10W发展。这对有功率要求的照明应用可以减少芯片使用数，降低应用系统的成本。总之，倒装法、高电压、硅基氮化镓仍将是半导体照明芯片的发展方向。
芯片级封装、LED灯丝封装、高显色指数及广色域将是未来封装工艺的发展趋势。采用透明导电膜、表面粗化技术、DBR反射器技术来提升LED灯珠的光效正装封装仍然是技术主流；同时倒装结构的COB/COF技术也是封装厂家关注的重点，集成封装式光引擎将会成为下一季研发重点。
去电源方案（高压LED），COB/COF应用的普及：在成本因素驱动下，去电源方案逐步成为可接受的产品，而高压LED充分迎合了去电源方案，但其需要解决的是芯片可靠性。凭借低热阻、光型好、免焊接以及成本低廉等优势，COB应用在今后将会得到广泛普及。
另外，中功率将成为主流封装方式，目前市场上的产品多为大功率LED产品或是小功率LED产品，它们虽各有优点，但也有着无法克服的缺陷，而结合两者优点的中功率LED产品应运而生。
还有就是新材料在封装中的应用。耐高温、抗紫外以及低吸水率等更高环境耐受性的材料，如热固型材料EMC、热塑性PCT、改性PPA以及类陶瓷塑料等将会被广泛应用。对于光品质的需求，针对室内照明方面，LED显色指数CRI以80为标准，以90+为目标，尽量使照明产品的光色接近普朗克曲线，这样才能改善LED的光品质，今后室内照明也将更关注光的品质。
通过优化LED封装技术，光效进一步提高，目前已经超过200lm/W，远高于其他大量使用的传统光源。LED灯珠的散热性能将进一步改善，可靠性进一步提高，灯珠的寿命也会进一步延长，从而光色品质进一步提高，最终人眼舒适度达到进一步改善。
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