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混合集成电路CMOS工艺中LowDose率对寄生双极结构的影响分析概述

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:1.01 MB | 2018-05-15

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　　许多双极型线性集成电路已显示出增强的低剂量率敏感性（ELDRS），其中当暴露于电离辐射下的产品在低剂量率（LDR）时比暴露在高剂量率（HDR）时可能具有更差的总电离剂量（TID）性能。最近的测试细胞的研究表明，亚微米CMOS工艺也可能表现出ELDRS。一些CMOS产品，虽然不被认为是BiCMOS，确实包含有源双极元件使用寄生双极结构中存在的所有批量CMOS工艺。叁个混合信号CMOS产品，一个数模转换器（DAC）和两个模数转换器（ADC），使用不同的亚微米CMOS工艺和使用有源寄生双极结构，通过LDR TID测试来确定实际产品是否显示ELDR。MIL-STD-83TM1019包含一种测试方法，通过使用HDR测试以及室温煺火来限定对LDR环境的HDR TID测试失败的产品。这种测试方法先前在超微米工艺节点上被证明。已经提出，这种测试方法对于亚微米工艺是无效的。测试方法验证了亚微米CMOS产品使用LDR测试数据从一个产品在这项研究中。

　　增强的低剂量率敏感性（ELDRS）已被广泛地研究并证明存在于许多双极线性集成电路［1 ］ -（10）中。在这些产品上，由于总电离剂量（TID）辐射引起的电参数漂移在相对低的剂量率（LDR）下更为明显。这是对LDR环境的关注，例如空间。由于集成电路的辐射鉴定的发展，它起源于更高剂量率的基于武器的应用，并且由于其实用性。在合理的时间内进行测试，TID测试

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