IGBT内部电容结构充放电

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种功率半导体器件，具有高速开关和高功率密度的特点。它结合了MOSFET和双极型晶体管（BJT）的优点。IGBT内部结构包括栅极（G）、集电极（C）和发射极（E）。

从你的描述来看，你在使用万用表的二极管档位测量IGBT的CE极之间的电压。首先，我们来分析一下这个过程：

1. 当你测量CE极之间的电压时，没有电压。这可能是因为IGBT处于关断状态，或者内部电容已经放电。

2. 当你接触GE极时，CE极之间的电压变为1.6V左右。这可能是因为接触GE极时，栅极（G）与发射极（E）之间形成了一个低阻抗路径，导致内部电容充电，从而在CE极之间产生电压。

3. 当你再次接触GC极时，CE极之间的电压消失。这可能是因为接触GC极时，栅极（G）与集电极（C）之间形成了一个低阻抗路径，导致内部电容放电，从而使CE极之间的电压降低。

关于你提到的GC端放电工作原理，这里有一个可能的解释：

IGBT内部的电容结构包括栅极-发射极电容（Cge）和栅极-集电极电容（Cgc）。当你接触GC极时，可能会形成一个低阻抗路径，使得栅极-集电极电容（Cgc）放电。这个放电过程可能会导致栅极-发射极电容（Cge）也受到影响，从而使得CE极之间的电压降低。

需要注意的是，使用万用表的二极管档位测量IGBT的电压可能会受到一些限制，因为万用表的内阻和测量速度可能不足以准确反映IGBT内部的电容充放电过程。为了更准确地测量和理解IGBT的工作原理，建议使用专业的测试设备和方法。