Diodes公司推出专为开关高功率IGBT设计的ZXGD3006E6闸极驱动器(gate driver) ,有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率
2011-07-06 09:07:521325 德州仪器 (TI) 宣佈针对绝缘闸双极性电晶体 (insulated-gate bipolar transistors;IGBT) 与MOSFET推出一款隔离式闸极驱动器,速度比同等光学闸极驱动器快40%。 ISO5500 的输入 TTL 逻辑与输出
2012-10-09 08:46:04824 英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 今天推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。有了专为混合动力/电动汽车 (HEV) 的主逆变器而设计的全新
2013-05-27 17:52:391436 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天推出EiceDRIVER™ 1EDC Compact 300 mil系列单通道栅极驱动电路。
2018-06-22 14:55:154339 Diodes公司推出全新系列的高电压、高速闸极驱动器,适用于转换器、变频器、马达控制,以及 D 类功率放大器等应用。
2019-03-21 10:25:001037 英飞凌科技股份公司依照其战略性设计GaN产品组合,不断加强全系统解决方案,推出EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V单通道门极驱动器IC系列产品。
2022-01-17 14:32:431106 EiceDRIVER F3增强型系列栅极驱动器采用爬电距离为8mm的DSO 16 300 mil宽体封装。这款单路隔离栅极驱动器具有高达300 kV/us的超高共模瞬态抗扰度(CMTI),以及高达8.5 A的典型输出电流。
2022-03-10 09:15:42727 英飞凌科技股份公司近日推出了新一代EiceDRIVER™ 2EDN栅极驱动器芯片系列。是对现有2EDN驱动器芯片产品线的补充,可减少外接组件的数量,并节省设计空间。
2022-03-29 09:21:39817 通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年,UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
使用两个半桥驱动芯片组成H桥驱动电路驱动电机开关门,目前发现存在半桥驱动芯片IR2103S损坏的情况,而且损坏是该芯片的5脚无法输出高低电平,但7脚仍能输出PWM波,不知道是什么情况,另外这个自举电容我看之前版本用的10uF钽电容,需要用这么大容量的电容吗?会不会电容放电损坏了芯片呢?
2018-12-18 14:36:20
半桥驱动电路通过 SPWM 已经能生成正弦波了,请问一下各位大神,能不能修改程序生成半波啊
2023-05-09 13:21:57
半桥驱动器IR2103和IR2101S有什么区别吗?可以代替IR2001S吗?
2017-04-28 11:10:05
半桥拓扑广泛用于电源转换器和电机驱动器中。这在很大程度上是因为半桥可通过总线电压,为脉宽调制(PWM)信号提供高效同步控制。然而,在控制器和功率器件之间通常需要使用栅极驱动器,以获得更短的开关时间并出
2018-10-16 13:52:11
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥
2022-01-04 14:16:57
) –36针VQFN 应用 •摄像机万向节 •HVAC电机 •办公自动化机器 •工厂自动化和机器人技术 说明 DRV8313提供三个单独可控的半桥驱动器。该装置旨在驱动三相无刷直流电动机
2020-07-10 14:23:52
FAN73832 是一款半桥、栅极驱动 IC,带关断和可编程死区时间控制功能,能驱动 MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 +600 V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
概述:IR2111是International Rectifier公司生产的一款半桥驱动器,它为双列直插或贴片8脚封装。驱动电压10-20V,电流(IO+/-)200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
=oxh_wx2、张飞软硬开源:基于STM32的BLDC直流无刷电机驱动器(视频+硬件)http://t.elecfans.com/topic/42.html?elecfans_trackid
2019-05-21 15:13:54
本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-12-20 14:28 编辑
NCV7721D2R2G是一款完全受保护的双半桥驱动器,专为汽车和工业运动控制应用而设计。两个半桥驱动器具有独立
2021-12-20 14:28:27
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计,具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
摘要通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年,UCC27282 120-V 2.5A
2022-11-10 07:04:55
许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率,从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块,到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等,不一而足。本文将详细阐述这些设计理念,以展现
2018-07-03 16:33:25
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V(绝对最大值)的高压(HV)轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
磁通量,而通过将IC上的线圈安装的足够近,可避免使用磁芯。英飞凌EiceDRIVER™ 汽车用系列产品都是基于CLT技术。1ED020I12FA(图1)是一个高级IGBT栅极驱动器。它的拉电流或灌电流
2018-12-06 09:57:11
EV6R11评估板采用ISOSMARTTM半桥驱动器CHIPSET-IX6R11和IXDP630死区时间发生器,在双面PCB上实现单电源相臂电路。该评估板包括一个带有两个功率器件的组装和测试PCB。只需按照本文档中的说明操作,即可将电路板连接到负载和电源
2020-04-23 08:42:24
IXBD4410 / 11 / IXDP630 / 631评估板IXDP630KIT采用经过验证的ISOSMARTTM半桥驱动器芯片 -IXBD4410,IXBD4411,IXDP630,在带接地
2020-04-24 09:22:57
用于IXBD4410 / 11 / IXDP630 / 631的IXDP631KIT评估板采用经过验证的ISOSMARTTM半桥驱动器芯片 -IXBD4410,IXBD4411,IXDP630,在带
2020-04-24 09:22:57
评估板EVBD4400采用经过验证的ISOSMARTTM半桥驱动器CHIPSET-IXBD4410,IXBD4411,IXDP630,在带接地层的双面PCB上实现单电源相位电路。 IXDP631
2019-04-28 07:42:05
描述PMP10645 参考设计适合使用反激式电源来驱动半桥的 SM74101 mosfet 驱动器。SM74101 是一款体积很小的 7A mosfet 驱动器,支持 3A 拉电流和 7A 灌电流
2018-12-21 11:39:19
常用的不对称半桥驱动电路有哪几种?如何实现不对称半桥隔离驱动电路设计?
2021-04-20 06:01:52
Brian Kennedy许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率,从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块,到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等,不一而足。本文将详细
2018-10-23 11:49:22
隔离式半桥栅极驱动器可用于许多应用,从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块,到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等,不一而足。本文将详细阐述这些设计理念,探索隔离式半桥栅极
2018-10-16 16:00:23
许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率,从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块,到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等,不一而足。本文将详细阐述这些设计理念,以
2018-09-26 09:57:10
达 600 Vac 的低压驱动器适用于额定电流高达 1000 A 且 Qg 高达 10 uC 的中等功率 IGBT 模块双极性(+15 V 和 -8 V)闸极驱动器电压通用 MOSFET 尺寸让用户能
2018-09-04 09:20:51
怎么实现MOSFET的半桥驱动电路的设计?
2021-10-11 07:18:56
对MOS管的驱动电路形式,常用推挽式电路,增强驱动能力而功率放大的电路形式,常使用全桥或者半桥的电路形式,放大功率同样是要接外接供电电源,为什么驱动用推挽,功放用全桥半桥?如果交换电路形式呢?谢谢
2020-07-15 01:34:51
对MOS管的驱动电路形式,常用推挽式电路,增强驱动能力而功率放大的电路形式,常使用全桥或者半桥的电路形式,放大功率同样是要接外接供电电源,为什么驱动用推挽,功放用全桥半桥?如果交换电路形式呢?谢谢
2017-02-16 14:02:13
=oxh_wx2、张飞软硬开源:基于STM32的BLDC直流无刷电机驱动器(视频+硬件)http://t.elecfans.com/topic/42.html?elecfans_trackid
2018-12-07 15:30:46
我一直在玩PWM和死区功能,并认为我可能有一个解决方案为我的125千赫调制的H桥驱动器。电路附接。这会不会有什么原因?或者,更有效的方法?谢谢H桥调制驱动器为125 kHZ.jPG181.5 K
2019-08-20 09:49:00
求教各位大佬:MOSFET半桥驱动芯片空载时为什么HO和LO都没有输出波形?最近我在做D类放大,由于是分模块做的,半桥驱动芯片没有与mosfet相连,是空载。当我把pwm波输入半桥驱动芯片后,半桥驱动器HO和LO无输出。调试了半天也没发现问题。各位大佬如果知道的话,请指点下小弟。万分感谢!!!
2018-04-09 23:54:28
文章目录1、封装SOIC8-1.272、应用(直流无刷电机驱动)3、datasheet1、封装SOIC8-1.272、应用(直流无刷电机驱动)3、datasheetFD2606S 是高压、高速半桥
2021-09-14 07:29:33
L6390,用于工业应用的高压半桥栅极驱动器。三相功率级三L6390半桥栅极驱动器之一的应用电路
2019-07-08 12:28:25
原理图如图所示,电机上电后转了一会后,半桥驱动烧坏。电机供电24V,半桥驱动供电9V
2018-10-19 17:26:23
驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半桥驱动器的套路吗?最近看电瓶车控制器里的驱动模块没有类似半桥驱动器的芯片,应该是自己搭建的,网上看了看也没有类似的东西,来请教一下
2017-01-14 18:03:50
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 论文分享《LLC详谈细谈-新型LLC自驱动半桥谐振变换器研究》资料来自网络
2019-07-02 21:43:00
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计?
2021-06-17 06:45:48
EVAL-CN0196-EB1Z,H桥驱动器评估板,采用隔离式半桥驱动器。 CN0196是由高功率开关MOSFET组成的H桥,其由低压逻辑信号控制。该电路在逻辑信号和高功率电桥之间提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
具有 5V UVLO、互锁和使能功能的 3A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 120 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:00
具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 620 Power switch MOSFET, IGBT
2022-12-14 14:43:01
支持互锁功能的 1.8A/2.8A、620V 半桥驱动器 Bus voltage (Max) (V) 620 Power switch MOSFET, IGBT Input
2022-12-14 14:43:02
具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器
2022-12-14 14:43:02
具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 120 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:03
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器
2022-12-14 14:43:04
4-A、600V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 110 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:06
具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:07
具有死区控制的 30V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 30 Power switch MOSFET Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:08
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 3A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 110 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:11
具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:13
具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 110 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:13
具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:17
具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input VCC
2022-12-14 14:43:17
具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input VCC
2022-12-14 14:43:18
具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:18
具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:19
用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 30 Power switch MOSFET Input VCC (Min
2022-12-14 14:43:19
具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:21
具有可调节稳压器、用于同相同步降压的 4A、29V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 29 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:22
具有 TTL 输入和使能功能、用于同相同步降压的 2.4A、28V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 28 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:22
具有 TTL 输入和使能功能、用于反相同步降压的 2.4A、28V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 28 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:23
具有 CMOS 输入和使能功能、用于同相同步降压的 2.4A、28V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 28 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:24
采用 SOIC-14 封装、具有使能功能、用于反相快速同步降压的 2.4A、28V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 28 Power switch
2022-12-14 14:43:25
采用 SOIC-8 封装、具有使能功能、用于反相快速同步降压的 2.4A、28V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 28 Power switch
2022-12-14 14:43:26
TFB0504是一个半桥式栅极驱动器,内部集成了自举二极管,能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺,使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一个半桥式栅极驱动器,内部集成了自举二极管,能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺,使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
英飞凌推出低成本半瓦LED驱动器系列
英飞凌科技股份公司宣布推出新的低成本线性LED驱动器系列,进一步壮大其高能效照明IC产品的阵容。全新推出的BCR320和BCR420产品
2009-12-16 08:54:25600 在LED 照明领域,没有好的驱动器相匹配,LED 照明的优势将无法体现。文章着重阐述了LED 驱动器的主要类别以及散热方面的内容。
2011-08-05 15:45:551677 展上,英飞凌科技股份有限公司推出针对绝缘电压高达1200伏的应用的1EDI EiceDRIVERTM Compact单通道栅极驱动器。该款电气绝缘驱动器的组件采用英飞凌研发的无磁芯变压器技术,该技术可以在独立的输出引脚上实现高达6安培的输出电流。
2013-12-04 15:02:35856 应用广泛的EiceDRIVER X3 Compact系列拥有5.5、10和14 A的驱动电流等规格,及90 ns的优化传输时延。
2021-06-10 11:04:25546 追求最高效率是当今电力电子产品的关键需求,近日,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了最新的隔离EiceDRIVER 2L-SRC紧凑型(1ED32xx)栅极驱动器系列
2021-08-24 09:37:372859 英飞凌 | 集成电源管理的160V三相MOTIX™门级驱动器
2023-05-03 11:30:12379 EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品,用于高功率应用,如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机(高达10kW)。
2023-05-18 16:18:24317 1200 V 绝缘体上硅(SOI)三相栅极驱动器之后,现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列,进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420 新品用于EiceDRIVER隔离栅极驱动器的电源评估板用于EiceDRIVER隔离栅极驱动器的电源评估板,型号:EVAL-PSIR2085。EiceDRIVER隔离栅驱动器用电源评估
2022-02-20 14:51:54672 新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技术的三相栅极驱动器EiceDRIVER1200V三相栅极驱动器,典型的0.35A源电流和0.65A灌电流。其采用DSO-24引脚封装
2023-02-22 11:11:49568 、低损耗的特性得到广泛的应用,但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER1
2023-08-17 09:27:25581 英飞凌工业功率技术大会上,发表了《英飞凌EiceDRIVER技术以及应对SiCMOSFET驱动的挑战》的演讲,详细剖析了SiCMOSFET对驱动芯片的需求,以及我们
2023-12-01 08:14:10212 。而如此精妙的机械手,背后来自于英飞凌的EiceDRIVER栅极驱动器的用“芯”驱动。从电源管理到核心驱动,大寰机器人推出的电动夹爪集结了来自英飞凌的多款产品,包
2023-12-29 08:14:12362
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