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半导体晶圆形貌厚度测量设备

消耗积分:0 | 格式:docx | 大小:2.07 MB | 2024-01-18

中图仪器
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半导体晶圆形貌厚度测量的意义与挑战

半导体晶圆形貌厚度测量是半导体制造和研发过程中至关重要的一环。它不仅可以提供制造工艺的反馈和优化依据，还可以保证半导体器件的性能和质量。在这个领域里，测量的准确性和稳定性是关键。

半导体器件通常是由多层薄膜组成，每一层的厚度都对器件的功能和性能有着直接的影响。只有准确测量每一层的厚度，才能保证半导体器件的性能符合设计要求。此外，形貌测量还可以提供制造工艺的反馈信息，帮助工程师优化制造工艺，提高生产效率和器件可靠性。

 

然而，半导体晶圆形貌厚度测量的精度要求非常高。由于半导体器件的特殊性，每一层的厚度通常在纳米级别，甚至更小。因此，测量设备和技术必须具备高精度和高分辨率的特点，才能满足测量需求。而且测量的速度也是一个难题。由于半导体制造通常是大规模批量进行的，因此，测量设备和技术必须能够在短时间内完成对多个晶圆的测量，否则将成为制造过程的瓶颈。

半导体晶圆形貌厚度测量还面临着表面反射、多层结构、透明层等特殊材料和结构的干扰。这些干扰因素可能会导致测量结果的不准确甚至错误。因此，需要开发出能够针对不同材料和结构进行测量的算法和技术，以提高测量的准确性和可靠性。

 

半导体晶圆形貌厚度测量设备有哪些？

为了解决上述挑战，中图仪器科研人员和工程师们不断推动着半导体晶圆形貌厚度测量技术的发展。他们不断改进和创新测量设备，提高测量的精度和速度。同时，他们也不断完善测量算法和技术，以应对不同材料和结构的测量需求。这些努力不仅有助于提高半导体器件的制造质量和性能，还为半导体行业的发展提供了有力支撑。

 

W1-pro 光学3D表面轮廓仪X/Y方向标准行程为200*200mm，可完全覆盖8英寸及以下晶圆，定制版真空吸附盘，稳定固定Wafer；气浮隔振+壳体分离式设计，隔离地面震动与噪声干扰。

台阶仪能够测量样品表面的2D形状或翘曲，如在半导体晶圆制造过程中，因多层沉积层结构中层间不匹配所产生的翘曲或形状变化，或者类似透镜在内的结构高度和曲率半径。

测量晶圆

 

WD4000无图晶圆几何量测系统通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，其测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。

无图晶圆厚度、翘曲度的测量

 

 

通过不断的创新和技术进步，中图仪器将为半导体行业的发展和进步注入新的活力。

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