在wafer基材加工阶段，从第一代硅，第二代砷化镓到第三代也是现阶段热门的碳化硅、氮化镓衬底都是通过晶锭切片、研磨、抛光后获得，每片衬底在各工艺后及出厂前，都要对厚度、翘曲度、弯曲度、粗糙度等几何形貌参数进行系统量测，需要相应的几何形貌量测设备。
下图为国内某头部碳化硅企业产品规范，无论是production wafer，research wafer，还是dummy wafer，出厂前均要对几何形貌参数进行量测，以保证同批、不同批次产品的一致性、稳定性，也能防止后序工艺由于wafer warpage过大，产生碎片、裂片的情况。
中图仪器针对晶圆几何形貌量测需求，基于在精密光学测量多年的技术积累，历经数载，自研了WD4000系列无图晶圆几何量测系统，适用于线切、研磨、抛光工艺后，进行wafer厚度（THK）、整体厚度变化（TTV）、翘曲度（Warp）、弯曲度（Bow）等相关几何形貌数据测量，能够提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等几何形貌图及系列参数，有效监测wafer形貌分布变化，从而及时管控与调整生产设备的工艺参数，确保wafer生产稳定且高效。
晶圆制造工艺环节复杂，前道制程所需要的量检测设备种类多、技术难度高, 因此也是所有半导体设备赛道中壁垒最高的环节。伴随半导体制程的演进，IC制造对于过程管控的要求越来越高，中图仪器持续投入开发半导体量检测设备，积极倾听客户需求，不断迭代技术，WD4000系列在诸多头部客户端都获得了良好反响!
测量速度：最快15s
测量范围：100μm~2000μm
测量精度：0.5um
重复性（σ）：0.2um
探头分辨率：23nm
扫描方式：Fullmap 面扫、米字、 自由多点
测量参数：厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等
可测材料：砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等
恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。
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