该设备设计为具有超低静态电流,并使用4.7µF电容器保持稳定。这该组合以合理的成本提供了高性能。因为PMOS器件表现为低值电阻器,所以压降非常低(通常为85mVTPS76550的输出电流为150mA),并且与输出电流成正比。此外,由于PMOS通过元件是电压驱动的器件,因此静态电流非常低且独立输出负载(通常在输出电流的整个范围内为35µA,0 mA至150 mA)。这两把钥匙这些规范显著提高了电池供电系统的使用寿命。这个LDO家族还具有睡眠模式;向EN(启用)施加TTL高信号会关闭调节器,从而降低静态电流小于1µ
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