类似的试验还有:某种抗PID的EVA封装的组件在经过通行的试验箱模拟PID试验后并没有出现PID效应。如果试验就此结束,似乎这种EVA是一种完好的PID解决方案。甚至再延长96小时,PID效应也未必发生。但如果同样的试验,只是将玻璃表面覆盖铝箔后再做一次,PID效应就完全暴露出来。如下图所示:
第三,有边框组件的玻璃表面处理方式也可以看出漏电流对PID效应的影响。
常见的边框接地方式有以下三种:
1. 用铜箔覆盖组件正面玻璃并将接地孔接地;(常见于常温PID测试方法)
2. 将组件竖放在双八五试验箱中,以冷凝水形成玻璃玻璃表面的漏电流通道,接地孔接地
3. 户外PID试验或运行中的电站(组件以一定角度倾斜放置,边框接地孔接地)
用这三种不同的试验方法所产生PID效应的组件,通过EL显示造成功率衰减的电池黑片有着不同的分布规律。
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